气压烧结炉不像热压炉那样对产品形状有所限制。专门适用于那些在温度升高时容易分解或常规烧结方法不能得到高密度的陶瓷或金属材料。可用于氮化硅、硅铝氧氮陶瓷、碳化硅、超高温合金，硬质合金及常规的复合材料。非常适用于各种陶瓷及金属材料的烧结工艺，尤其是对温度升高后材料本身会分解及在常规方法烧结硬度达不到要求的材料。这种加工方法对于需要经过高温挤压形成的零件的外形没有局限性，并且对于等静压加工也是不错的选择。
　　气压烧结炉应用于那些不能通过普通烧结达到高致密性和特殊性能的材料，但必须要求较低的扩散系数或要求无孔基体的材料处理工艺，通过气压烧结得到优化的机械、热力学、光学性能。设备主要用于高性能结构陶瓷研究领域，设备的稳定性和温场的均匀性是衡量设备的关键指标。对Si3N4陶瓷而言，当其烧结温度超过1750℃时，Si3N4发生分解，致密化过程受阻。这种情况下，一般是通过提高炉内的N2压力来防止Si3N4分解从而实现Si3N4陶瓷的高温烧结。因此对Si3N4陶瓷而言，烧结炉是必备的研究设备。
　　除气压烧结外，气压烧结炉还可用于高性能碳化物、氮化物、碳/碳复合材料，碳/碳化硅复合材料及超高温陶瓷材料常压和真空烧结。所配置的高温热膨胀仪器，可实时表征陶瓷材料在烧结过程中的收缩及烧结行为的变化，是研究高性能陶瓷及复合材料高温性能的重要的部件。