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C2GR16-气相沉积炉

简要描述：热诱导的化学气相渗透(英语:chemical vaporinfiltration ,CV)是一个与CVD有关的技术，以在基体材料渗入多孔或纤维预成型件以制备由复合材料制成的部件具有改善的机械性能，耐腐蚀性，耐热冲击性和低残余应力。

更新日期：2024-11-08
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技术数据
规格
应用
主要成分
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一、设备基本原理与特点

1. 基本原理

热诱导化学气相沉积(英语:chemical vapor deposition ,CVD)是用于各种电介质,半导体和金属材料的保护涂层的沉积的有力方式，无论是单晶，多晶，无定形或外延状态上或大或小的形态。典型的涂层材料包括热解碳，碳化硅，氮化硼。通过使用合成前体，涂层非常纯净并目满足半导体工业的典型要求，根据工艺参数，可以有多种层厚度，从单个或几个原子层到厚度从10纳米到数百微米的固体保护层或功能层，以及厚度达100微米的单片部件，甚至高达数毫米。

2.设备特点

采用卧式、侧开门结构:装、卸料精度高，操作方便;
采用先进的控制技术，能精密控制MTS的流量和压力，炉膛内沉积气流稳定，压力波动范围小;
温度均匀性好:平均温度均匀性为±5℃;
采用多通道沉积气路，流场均匀，无沉积死角，沉积效果好;
全封闭沉积室，密封效果好，抗污染能力强;
安全性能好:采用HMI+PLC+PID压力传感控制，安全可靠;
对沉积产生的高腐蚀性尾气、易燃易爆气体、固体粉尘及低熔点粘性产物能进行有效处理;
多级高效尾气处理系统，环境友好，能高效收集焦油及副产物，易清理;
采用设计防腐蚀真空机组，持续工作时间长，维修率极低。

二、主要技术参数

编号	C2GR16
产品型号	VHCgr-20/20/30-1600
最高设计温度（ ℃ ）	1600
加热元件	等静压石墨
加热功率（Kw）	45
冷态极限真空度（ Pa ）	6.7x10-3Pa（空炉、冷态、经净化）
测温元件	钨铼热电偶
升温速率	1~20℃/min
温度均匀性	±5℃（5点测温，恒温区1000℃保温1h后检测）
炉膛尺寸（mm）	200x200x300（WxHxD）
可通入气氛	1路CH3SiCI_3、1路氨气、1路氢气、1路氮气
气氛流量计	4路质量流量计
设备外形尺寸（ mm ）	1425x1550x1850mm(DxWxH)

化学气相沉积炉(碳化硅)可用于以硅烷为气源的材料表面抗氧化涂层、基体改性等。立式化学气相沉积炉(沉积炭)可用于以碳气体(如C3H8、CH4等)为碳源的材料表面或基体等温CVD/CVI处理。卧式化学气相沉积炉(SiC、BN)可用于材料的表面涂层、基体改性、复合材料制备等外延片基座、晶体炉高温耐材、热弯模具、半导体坩埚、陶瓷基复合材料等。

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